武漢大學(xué)科研公共服務(wù)條件平臺(tái)化學(xué)院分平臺(tái)場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡(Talos F200X G2)已經(jīng)安裝調(diào)試完畢，即日起對(duì)校內(nèi)開放試運(yùn)行，歡迎校內(nèi)師生預(yù)約測(cè)試！

一、基本參數(shù)

型號(hào)：Talos F200X G2

廠家：美國(guó)Thermo Fisher公司

電子槍類型：超高亮度高穩(wěn)定度的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍

加速電壓：20 kV – 200 kV

HRTEM 分辨率≤0.10 nm

STEM 分辨率 ≤0.16 nm

放大倍數(shù)：LM模式25x-2300x

M模式2300x-3300x

SA模式3300-630Kx

Mh模式630Kx-1.05Mx

STEM模式5000x-330Mx

相機(jī)：Ceta-S

能譜： 采用四個(gè)對(duì)稱式能譜探頭, 四個(gè)無窗設(shè)計(jì)SDD硅漂移探測(cè)器構(gòu)成完全旋轉(zhuǎn)對(duì)稱分布設(shè)計(jì)的多探頭系統(tǒng)

二、功能特色

本儀器配備三個(gè)STEM探頭，包括高角環(huán)形暗場(chǎng)探測(cè)器（HAADF）和同軸明場(chǎng)/暗場(chǎng)探測(cè)器。同時(shí)配備實(shí)時(shí)的積分相位襯度像(iDPC)成像功能，可在同一幅STEM圖像中同時(shí)獲取輕重元素的清晰襯度，同時(shí)支持在極低束流下對(duì)MOF等電束敏感材料進(jìn)行低損傷高襯度成像。采用四個(gè)對(duì)稱式能譜探頭, 四個(gè)無窗設(shè)計(jì)SDD硅漂移探測(cè)器構(gòu)成完全旋轉(zhuǎn)對(duì)稱分布設(shè)計(jì)的多探頭系統(tǒng)?？蓪?shí)現(xiàn)對(duì)樣品極快速精準(zhǔn)的 EDS的點(diǎn)、 線、面 、分析。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

透射電子顯微鏡如今已經(jīng)廣泛應(yīng)用于自然科學(xué)各領(lǐng)域，尤其在物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)和材料科學(xué)等方面。Talos F200X G2因具有較高分辨率，較好的微區(qū)分析能力，在研究材料的聚集態(tài)結(jié)構(gòu)、形貌特征、晶體結(jié)構(gòu)分析、材料元素的定性和定量分析等方面發(fā)揮著不可代替的作用。

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地點(diǎn)：武漢大學(xué)化學(xué)與分子科學(xué)學(xué)院C118

聯(lián)系人：徐老師 18627861759；電鏡測(cè)試QQ群：665017008